NGTB40N65IHL2WG
NGTB40N65IHL2WG
Số Phần:
NGTB40N65IHL2WG
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
IGBT 650V 40A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13135 Pieces
Bảng dữliệu:
NGTB40N65IHL2WG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NGTB40N65IHL2WG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NGTB40N65IHL2WG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NGTB40N65IHL2WG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):650V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 40A
Điều kiện kiểm tra:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C:-/140ns
chuyển đổi năng lượng:360µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247-3
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):465ns
Power - Max:300W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:NGTB40N65IHL2WG-ND
NGTB40N65IHL2WGOS
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:5 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NGTB40N65IHL2WG
Kiểu đầu vào:Standard
Loại IGBT:Trench Field Stop
cổng phí:135nC
Mô tả mở rộng:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 300W Through Hole TO-247-3
Sự miêu tả:IGBT 650V 40A TO-247
Hiện tại - Collector xung (Icm):160A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):80A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận