NJVMJB42CT4G
NJVMJB42CT4G
Số Phần:
NJVMJB42CT4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13015 Pieces
Bảng dữliệu:
NJVMJB42CT4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NJVMJB42CT4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NJVMJB42CT4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NJVMJB42CT4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 600mA, 6A
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:D2PAK
Loạt:-
Power - Max:2W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NJVMJB42CT4G
Tần số - Transition:3MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 2W Surface Mount D2PAK
Sự miêu tả:TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:15 @ 3A, 4V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):700µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):6A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận