NJVMJD112G
NJVMJD112G
Số Phần:
NJVMJD112G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17032 Pieces
Bảng dữliệu:
NJVMJD112G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NJVMJD112G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NJVMJD112G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NJVMJD112G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:-
Power - Max:1.75W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NJVMJD112G
Tần số - Transition:25MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:1000 @ 2A, 3V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):20µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận