Mua NOSB106M008R1000V với BYCHPS
Mua với đảm bảo
NOSB106M008R1000V
- Số Phần:
- NOSB106M008R1000V
- nhà chế tạo:
- AVX Corporation
- Sự miêu tả:
- CAP NIOB OXID 10UF 20% 8V 1210
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 19730 Pieces
- Bảng dữliệu:
- NOSB106M008R1000V.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho NOSB106M008R1000V, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NOSB106M008R1000V qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Xếp hạng: | 8V |
|---|---|
| Lòng khoan dung: | ±20% |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 1210 (3528 Metric) |
| Size / Kích thước: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| Loạt: | OxiCap® NOS |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 1411 (3528 Metric) |
| Vài cái tên khác: | 478-9703-2 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 125°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 19 Weeks |
| Nhà sản xuất Kích Mã: | B |
| Số phần của nhà sản xuất: | NOSB106M008R1000V |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.083" (2.10mm) |
| Tính năng: | Low ESR |
| Mô tả mở rộng: | 10µF Niobium Oxide Capacitor 8V 1411 (3528 Metric) 1 Ohm ESR |
| ESR (tương đương Series kháng): | 1 Ohm |
| tản tố: | 10% |
| Sự miêu tả: | CAP NIOB OXID 10UF 20% 8V 1210 |
| Hiện tại - Rò rỉ: | 1.6µA |
| Điện dung: | 10µF |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho NOSB106M008R1000V
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSB107M001R0350 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 1.8V 1210 | Tin nhắn của bạn |
|
NOSB156M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 6.3V 1210 | Tin nhắn của bạn |
|
NOSB156M008R1000V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 8V 1210 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog