NSS60601MZ4T3G
NSS60601MZ4T3G
Số Phần:
NSS60601MZ4T3G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 60V 6A SOT-223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14387 Pieces
Bảng dữliệu:
NSS60601MZ4T3G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSS60601MZ4T3G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSS60601MZ4T3G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSS60601MZ4T3G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 600mA, 6A
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223
Loạt:-
Power - Max:800mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:42 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NSS60601MZ4T3G
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223
Sự miêu tả:TRANS NPN 60V 6A SOT-223
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 1A, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):6A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận