NSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G
Số Phần:
NSVMUN5212DW1T1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14344 Pieces
Bảng dữliệu:
NSVMUN5212DW1T1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSVMUN5212DW1T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSVMUN5212DW1T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSVMUN5212DW1T1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-88/SC70-6/SOT-363
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):22k
Power - Max:250mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NSVMUN5212DW1T1G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Sự miêu tả:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:60 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận