NSVT3904DXV6T1G
NSVT3904DXV6T1G
Số Phần:
NSVT3904DXV6T1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16314 Pieces
Bảng dữliệu:
NSVT3904DXV6T1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSVT3904DXV6T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSVT3904DXV6T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSVT3904DXV6T1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-563
Loạt:-
Power - Max:500mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:7 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NSVT3904DXV6T1G
Tần số - Transition:300MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 500mW Surface Mount SOT-563
Sự miêu tả:TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 10mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):-
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận