NSVT65011MW6T1G
NSVT65011MW6T1G
Số Phần:
NSVT65011MW6T1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15023 Pieces
Bảng dữliệu:
NSVT65011MW6T1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSVT65011MW6T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSVT65011MW6T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NSVT65011MW6T1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):65V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-88 (SOT-363)
Loạt:-
Power - Max:380mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác:NSVT65011MW6T1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NSVT65011MW6T1G
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88 (SOT-363)
Sự miêu tả:TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 2mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):15nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận