NTB30N20T4G
NTB30N20T4G
Số Phần:
NTB30N20T4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18120 Pieces
Bảng dữliệu:
NTB30N20T4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTB30N20T4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTB30N20T4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTB30N20T4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D2PAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:81 mOhm @ 15A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta), 214W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:NTB30N20T4GOS
NTB30N20T4GOS-ND
NTB30N20T4GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NTB30N20T4G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2335pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 30A (Ta) 2W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount D2PAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận