NTB6412ANG
NTB6412ANG
Số Phần:
NTB6412ANG
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13034 Pieces
Bảng dữliệu:
NTB6412ANG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTB6412ANG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTB6412ANG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTB6412ANG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D2PAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:18.2 mOhm @ 58A, 10V
Điện cực phân tán (Max):167W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NTB6412ANG
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D2PAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận