Mua NTD4979N-35G với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | I-Pak |
Loạt: | - |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 9 mOhm @ 30A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 4 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | NTD4979N-35G |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 837pF @ 15V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.5nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 30V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-Pak |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 30V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 9.4A (Ta), 41A (Tc) |
Email: | [email protected] |