NTLJS3180PZTBG
NTLJS3180PZTBG
Số Phần:
NTLJS3180PZTBG
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17142 Pieces
Bảng dữliệu:
NTLJS3180PZTBG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTLJS3180PZTBG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTLJS3180PZTBG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTLJS3180PZTBG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:6-WDFN (2x2)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:38 mOhm @ 3A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):700mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-WDFN Exposed Pad
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NTLJS3180PZTBG
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 16V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:19.5nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận