NTMFS4H013NFT1G
NTMFS4H013NFT1G
Số Phần:
NTMFS4H013NFT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15608 Pieces
Bảng dữliệu:
NTMFS4H013NFT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTMFS4H013NFT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTMFS4H013NFT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTMFS4H013NFT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:0.9 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.7W (Ta), 104W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:9 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NTMFS4H013NFT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3923pF @ 12V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 25V 43A (Ta), 269A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:43A (Ta), 269A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận