NTMS5P02R2G
Số Phần:
NTMS5P02R2G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18498 Pieces
Bảng dữliệu:
NTMS5P02R2G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTMS5P02R2G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTMS5P02R2G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTMS5P02R2G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.25V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±10V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SOIC
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):790mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:NTMS5P02R2GOS
NTMS5P02R2GOS-ND
NTMS5P02R2GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:15 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NTMS5P02R2G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 16V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3.95A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận