NTNS3193NZT5G
NTNS3193NZT5G
Số Phần:
NTNS3193NZT5G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17655 Pieces
Bảng dữliệu:
NTNS3193NZT5G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTNS3193NZT5G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTNS3193NZT5G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTNS3193NZT5G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:3-XLLGA (0.62x0.62)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):120mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:3-XFLGA
Vài cái tên khác:NTNS3193NZT5G-ND
NTNS3193NZT5GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NTNS3193NZT5G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:15.8pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 224mA (Ta) 120mW (Ta) Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:224mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận