NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
Số Phần:
NTZS3151PT1H
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18926 Pieces
Bảng dữliệu:
NTZS3151PT1H.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTZS3151PT1H, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTZS3151PT1H qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTZS3151PT1H với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-563-6
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):170mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NTZS3151PT1H
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:458pF @ 16V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563-6
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:860mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận