NVD4815NT4G
NVD4815NT4G
Số Phần:
NVD4815NT4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19195 Pieces
Bảng dữliệu:
NVD4815NT4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVD4815NT4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVD4815NT4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVD4815NT4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NVD4815NT4G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:770pF @ 12V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:6.6nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.9A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận