NVD5802NT4G-VF01
NVD5802NT4G-VF01
Số Phần:
NVD5802NT4G-VF01
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16209 Pieces
Bảng dữliệu:
NVD5802NT4G-VF01.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVD5802NT4G-VF01, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVD5802NT4G-VF01 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVD5802NT4G-VF01 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:4.4 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:NVD4856NT4G-VF01
NVD5802NT4G
NVD5802NT4G-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:34 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NVD5802NT4G-VF01
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5300pF @ 12V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:16.4A (Ta), 101A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận