NVF3055L108T3G
NVF3055L108T3G
Số Phần:
NVF3055L108T3G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12643 Pieces
Bảng dữliệu:
NVF3055L108T3G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVF3055L108T3G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVF3055L108T3G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVF3055L108T3G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 1.5A, 5V
Điện cực phân tán (Max):1.3W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:20 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NVF3055L108T3G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận