NVF6P02T3G
NVF6P02T3G
Số Phần:
NVF6P02T3G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16704 Pieces
Bảng dữliệu:
NVF6P02T3G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVF6P02T3G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVF6P02T3G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVF6P02T3G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223 (TO-261)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:50 mOhm @ 6A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):8.3W (Ta)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:NVF6P02T3GOSDKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:11 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NVF6P02T3G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 16V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận