NVMFD5485NLT1G
NVMFD5485NLT1G
Số Phần:
NVMFD5485NLT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19614 Pieces
Bảng dữliệu:
NVMFD5485NLT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVMFD5485NLT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVMFD5485NLT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVMFD5485NLT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:44 mOhm @ 15A, 10V
Power - Max:2.9W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NVMFD5485NLT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.3A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận