NVMFD5853NWFT1G
NVMFD5853NWFT1G
Số Phần:
NVMFD5853NWFT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19814 Pieces
Bảng dữliệu:
NVMFD5853NWFT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVMFD5853NWFT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVMFD5853NWFT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVMFD5853NWFT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 15A, 10V
Power - Max:3.1W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:13 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NVMFD5853NWFT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1225pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận