P2N2222AZL1G
Số Phần:
P2N2222AZL1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16082 Pieces
Bảng dữliệu:
P2N2222AZL1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho P2N2222AZL1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho P2N2222AZL1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua P2N2222AZL1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:-
Power - Max:625mW
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:P2N2222AZL1G
Tần số - Transition:300MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 150mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận