PDTB123YT,215
PDTB123YT,215
Số Phần:
PDTB123YT,215
nhà chế tạo:
Nexperia
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
20081 Pieces
Bảng dữliệu:
1.PDTB123YT,215.pdf2.PDTB123YT,215.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PDTB123YT,215, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PDTB123YT,215 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PDTB123YT,215 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-236AB (SOT23)
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:250mW
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:1727-1703-6
568-11243-6
568-11243-6-ND
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:13 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:PDTB123YT,215
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:70 @ 50mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận