Mua PDTD123ET,215 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Loại bóng bán dẫn: | NPN - Pre-Biased |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-236AB (SOT23) |
Loạt: | - |
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms): | 2.2k |
Điện trở - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
Power - Max: | 250mW |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vài cái tên khác: | 1727-5141-2 568-6440-2 568-6440-2-ND 934058977215 PDTD123ET T/R PDTD123ET T/R-ND PDTD123ET,215-ND |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 13 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | PDTD123ET,215 |
Tần số - Transition: | - |
Mô tả mở rộng: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
Sự miêu tả: | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 40 @ 50mA, 5V |
Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
Email: | [email protected] |