PHX18NQ11T,127
PHX18NQ11T,127
Số Phần:
PHX18NQ11T,127
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18939 Pieces
Bảng dữliệu:
PHX18NQ11T,127.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PHX18NQ11T,127, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PHX18NQ11T,127 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PHX18NQ11T,127 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220-3
Loạt:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 9A, 10V
Điện cực phân tán (Max):31.2W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác:934057815127
PHX18NQ11T
PHX18NQ11T-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:PHX18NQ11T,127
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:635pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 110V 12.5A (Tc) 31.2W (Tc) Through Hole TO-220-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):110V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận