PMV30UN,215
PMV30UN,215
Số Phần:
PMV30UN,215
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14337 Pieces
Bảng dữliệu:
PMV30UN,215.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PMV30UN,215, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PMV30UN,215 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PMV30UN,215 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-236AB (SOT23)
Loạt:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:36 mOhm @ 2A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1.9W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:568-2353-2
934057773215
PMV30UN T/R
PMV30UN T/R-ND
PMV30UN215
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:PMV30UN,215
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:460pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 5.7A (Tc) 1.9W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận