PQMD13Z
PQMD13Z
Số Phần:
PQMD13Z
nhà chế tạo:
Nexperia
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14020 Pieces
Bảng dữliệu:
PQMD13Z.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PQMD13Z, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PQMD13Z qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PQMD13Z với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DFN1010B-6
Loạt:Automotive, AEC-Q101
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:350mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-XFDFN Exposed Pad
Vài cái tên khác:1727-2710-2
568-13231-2
568-13231-2-ND
934069748147
PQMD13Z-ND
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:PQMD13Z
Tần số - Transition:230MHz, 180MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP RET 6DFN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận