PSMN3R9-60XSQ
PSMN3R9-60XSQ
Số Phần:
PSMN3R9-60XSQ
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12617 Pieces
Bảng dữliệu:
PSMN3R9-60XSQ.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PSMN3R9-60XSQ, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PSMN3R9-60XSQ qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PSMN3R9-60XSQ với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220F
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):55W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác:568-11430-5
934068135127
PSMN3R9-60XSQ-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:PSMN3R9-60XSQ
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5494pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 75A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận