PSMN5R6-100XS,127
PSMN5R6-100XS,127
Số Phần:
PSMN5R6-100XS,127
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19754 Pieces
Bảng dữliệu:
PSMN5R6-100XS,127.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PSMN5R6-100XS,127, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PSMN5R6-100XS,127 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PSMN5R6-100XS,127 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220F
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:5.6 mOhm @ 15A, 10V
Điện cực phân tán (Max):60W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác:568-9496-5
934066041127
PSMN5R6-100XS,127-ND
PSMN5R6-100XS127
PSMN5R6100XS127
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:PSMN5R6-100XS,127
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:8061pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:145nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 61.8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:61.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận