PTAB182002TCV2R250XTMA1 - Infineon Technologies - Transistors - FETs, MOSFETs - RF PTAB182002TCV2R250XTMA1

PTAB182002TCV2R250XTMA1

Số Phần:: PTAB182002TCV2R250XTMA1

nhà chế tạo:: International Rectifier (Infineon Technologies)

Sự miêu tả:: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 14437 Pieces

Bảng dữliệu:: PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PTAB182002TCV2R250XTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PTAB182002TCV2R250XTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua PTAB182002TCV2R250XTMA1 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Điện áp - Kiểm tra:	28V
Voltage - Xếp hạng:	65V
Loại bóng bán dẫn:	LDMOS
Gói thiết bị nhà cung cấp:	H-49248H-4
Loạt:	-
Power - Output:	29W
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	H-49248H-4
Vài cái tên khác:	SP001483354
tiếng ồn Hình:	-
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	PTAB182002TCV2R250XTMA1
Lợi:	14.8dB
Tần số:	1.805GHz ~ 1.88GHz
Mô tả mở rộng:	RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4
Sự miêu tả:	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Đánh giá hiện tại:	10µA
Hiện tại - Kiểm tra:	520mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho PTAB182002TCV2R250XTMA1

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
PTAB182002FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	Tin nhắn của bạn
PTAB182002TCV2R250XUMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Tin nhắn của bạn
PTAB182002FCV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Tin nhắn của bạn
PTAB182002TCV2XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức