QS5Y1TR - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng QS5Y1TR

QS5Y1TR

Số Phần:: QS5Y1TR

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 16391 Pieces

Bảng dữliệu:: QS5Y1TR.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho QS5Y1TR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho QS5Y1TR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua QS5Y1TR với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	30V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	400mV @ 50mA, 1A
Loại bóng bán dẫn:	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	TSMT5
Loạt:	-
Power - Max:	1.25W
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Vài cái tên khác:	QS5Y1TRTR
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	QS5Y1TR
Tần số - Transition:	300MHz, 270MHz
Mô tả mở rộng:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 30V 3A 300MHz, 270MHz 1.25W Surface Mount TSMT5
Sự miêu tả:	TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	200 @ 500mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	1µA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	3A
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho QS5Y1TR

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
2N2918	Central Semiconductor Corp	TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6	Tin nhắn của bạn
HN4B01JE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN	Tin nhắn của bạn
BC847BDW1T3G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức