R6008FNJTL
R6008FNJTL
Số Phần:
R6008FNJTL
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16373 Pieces
Bảng dữliệu:
R6008FNJTL.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho R6008FNJTL, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho R6008FNJTL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua R6008FNJTL với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:LPTS
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:950 mOhm @ 4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):50W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-83
Vài cái tên khác:R6008FNJTLTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:R6008FNJTL
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận