R8010ANX
R8010ANX
Số Phần:
R8010ANX
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15396 Pieces
Bảng dữliệu:
R8010ANX.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho R8010ANX, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho R8010ANX qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua R8010ANX với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220FM
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:560 mOhm @ 5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):40W (Tc)
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:R8010ANX
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1750pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận