RCX081N20
RCX081N20
Số Phần:
RCX081N20
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18747 Pieces
Bảng dữliệu:
RCX081N20.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RCX081N20, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RCX081N20 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RCX081N20 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.25V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220FM
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:770 mOhm @ 4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.23W (Ta), 40W (Tc)
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:RCX081N20CT
RCX081N20CT-ND
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RCX081N20
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 8A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 8A TO220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận