RDN100N20
RDN100N20
Số Phần:
RDN100N20
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16773 Pieces
Bảng dữliệu:
RDN100N20.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RDN100N20, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RDN100N20 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RDN100N20 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220FN
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:360 mOhm @ 5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):35W (Tc)
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RDN100N20
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:543pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 10A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận