RDR005N25TL
RDR005N25TL
Số Phần:
RDR005N25TL
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16382 Pieces
Bảng dữliệu:
RDR005N25TL.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RDR005N25TL, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RDR005N25TL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RDR005N25TL với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TSMT3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):540mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-96
Vài cái tên khác:RDR005N25TLTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RDR005N25TL
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:70pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:3.5nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):250V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận