RF4E100AJTCR
Số Phần:
RF4E100AJTCR
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17439 Pieces
Bảng dữliệu:
RF4E100AJTCR.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RF4E100AJTCR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RF4E100AJTCR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RF4E100AJTCR với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:HUML2020L8
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:12.4 Ohm @ 10A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):2W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-UDFN Exposed Pad
Vài cái tên khác:RF4E100AJTCRTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RF4E100AJTCR
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1460pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 10A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận
Loading...