RF6C055BCTCR
Số Phần:
RF6C055BCTCR
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
PCH -20V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18388 Pieces
Bảng dữliệu:
RF6C055BCTCR.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RF6C055BCTCR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RF6C055BCTCR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RF6C055BCTCR với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-363
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:25.8 Ohm @ 5.5A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác:RF6C055BCTCRTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RF6C055BCTCR
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15.2nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 5.5A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount SOT-363
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:PCH -20V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận