RFD14N05L
RFD14N05L
Số Phần:
RFD14N05L
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14340 Pieces
Bảng dữliệu:
RFD14N05L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RFD14N05L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RFD14N05L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RFD14N05L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±10V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-251AA
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 14A, 5V
Điện cực phân tán (Max):48W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RFD14N05L
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:670pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 50V 14A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):50V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận