RFM08U9X(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistors - FETs, MOSFETs - RF RFM08U9X(TE12L,Q)

RFM08U9X(TE12L,Q)

Số Phần:: RFM08U9X(TE12L,Q)

nhà chế tạo:: Toshiba Semiconductor

Sự miêu tả:: MOSFET N-CH PW-X

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 15535 Pieces

Bảng dữliệu:: RFM08U9X(TE12L,Q).pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RFM08U9X(TE12L,Q), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RFM08U9X(TE12L,Q) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua RFM08U9X(TE12L,Q) với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Điện áp - Kiểm tra:	9.6V
Voltage - Xếp hạng:	36V
Loại bóng bán dẫn:	N-Channel
Gói thiết bị nhà cung cấp:	PW-X
Loạt:	-
Power - Output:	7.5W
Bao bì:	Cut Tape (CT)
Gói / Case:	TO-271AA
Vài cái tên khác:	RFM08U9X(TE12LQ)CT
tiếng ồn Hình:	-
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	RFM08U9X(TE12L,Q)
Lợi:	11.7dB
Tần số:	520MHz
Mô tả mở rộng:	RF Mosfet N-Channel 9.6V 50mA 520MHz 11.7dB 7.5W PW-X
Sự miêu tả:	MOSFET N-CH PW-X
Đánh giá hiện tại:	5A
Hiện tại - Kiểm tra:	50mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho RFM08U9X(TE12L,Q)

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
PD84006-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF	Tin nhắn của bạn
PTFA071701FV4R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF LDMOS 170W H37248-2	Tin nhắn của bạn
PTFA192401FV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2	Tin nhắn của bạn
PTFA261702E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4	Tin nhắn của bạn
MRF1K50HR5	NXP USA Inc.	HIGH POWER RF TRANSISTOR	Tin nhắn của bạn
UF28150J	M/A-Com Technology Solutions	MOSFET 150W 28V 100-500MHZ	Tin nhắn của bạn
PD55008-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO10	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức