RGT40TS65DGC11
RGT40TS65DGC11
Số Phần:
RGT40TS65DGC11
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
IGBT 650V 40A 144W TO-247N
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14380 Pieces
Bảng dữliệu:
RGT40TS65DGC11.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RGT40TS65DGC11, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RGT40TS65DGC11 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RGT40TS65DGC11 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):650V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 20A
Điều kiện kiểm tra:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C:22ns/75ns
chuyển đổi năng lượng:-
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247N
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):58ns
Power - Max:144W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:15 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RGT40TS65DGC11
Kiểu đầu vào:Standard
Loại IGBT:Trench Field Stop
cổng phí:40nC
Mô tả mở rộng:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 144W Through Hole TO-247N
Sự miêu tả:IGBT 650V 40A 144W TO-247N
Hiện tại - Collector xung (Icm):60A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):40A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận