RN1102T5LFT
RN1102T5LFT
Số Phần:
RN1102T5LFT
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14550 Pieces
Bảng dữliệu:
RN1102T5LFT.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RN1102T5LFT, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN1102T5LFT qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RN1102T5LFT với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SSM
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:100mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:SC-75, SOT-416
Vài cái tên khác:RN1102T5LFTCT
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RN1102T5LFT
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận