RN1706JE(TE85L,F)
RN1706JE(TE85L,F)
Số Phần:
RN1706JE(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19635 Pieces
Bảng dữliệu:
RN1706JE(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RN1706JE(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN1706JE(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RN1706JE(TE85L,F) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Gói thiết bị nhà cung cấp:ESV
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:100mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:SOT-553
Vài cái tên khác:RN1706JE(TE85LF)CT
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RN1706JE(TE85L,F)
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Sự miêu tả:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận