RN2118MFV(TPL3)
RN2118MFV(TPL3)
Số Phần:
RN2118MFV(TPL3)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17573 Pieces
Bảng dữliệu:
RN2118MFV(TPL3).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RN2118MFV(TPL3), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN2118MFV(TPL3) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RN2118MFV(TPL3) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:VESM
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-723
Vài cái tên khác:RN2118MFV(TPL3)-ND
RN2118MFV(TPL3)TR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RN2118MFV(TPL3)
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận