RN2315TE85LF
RN2315TE85LF
Số Phần:
RN2315TE85LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17577 Pieces
Bảng dữliệu:
RN2315TE85LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RN2315TE85LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN2315TE85LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RN2315TE85LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:USM
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:100mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:RN2315(TE85L,F)
RN2315TE85LF-ND
RN2315TE85LFTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RN2315TE85LF
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận