RN2610(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Số Phần:: RN2610(TE85L,F)

nhà chế tạo:: Toshiba Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 17910 Pieces

Bảng dữliệu:: RN2610(TE85L,F).pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RN2610(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN2610(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua RN2610(TE85L,F) với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SM6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	-
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	4.7k
Power - Max:	300mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:	RN2610(TE85LF)TR
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	RN2610(TE85L,F)
Tần số - Transition:	200MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Sự miêu tả:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	120 @ 1mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho RN2610(TE85L,F)

hình ảnh	Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
	RN4907(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	Tin nhắn của bạn
	RN1970FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức