RN4602TE85LF
RN4602TE85LF
Số Phần:
RN4602TE85LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12458 Pieces
Bảng dữliệu:
RN4602TE85LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RN4602TE85LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN4602TE85LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RN4602TE85LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SM6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:RN4602(TE85L,F)
RN4602TE85LFTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:11 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RN4602TE85LF
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận