RN4982FE(T5L,F,T)
RN4982FE(T5L,F,T)
Số Phần:
RN4982FE(T5L,F,T)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16412 Pieces
Bảng dữliệu:
RN4982FE(T5L,F,T).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RN4982FE(T5L,F,T), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RN4982FE(T5L,F,T) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RN4982FE(T5L,F,T) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:ES6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:100mW
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:RN4982FE(T5LFT)DKR
RN4982FE(T5LFT)DKR-ND
RN4982FELF(CBDKR
RN4982FELF(CTDKR
RN4982FELF(CTDKR-ND
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:RN4982FE(T5L,F,T)
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận