RND030N20TL
RND030N20TL
Số Phần:
RND030N20TL
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17528 Pieces
Bảng dữliệu:
RND030N20TL.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho RND030N20TL, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RND030N20TL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RND030N20TL với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.2V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:CPT3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:870 mOhm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):850mW (Ta), 20W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:RND030N20TLTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:RND030N20TL
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:6.7nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận